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6萬片,2個SiC項目傳新進展

  • 分類:新聞
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  • 來源:
  • 發(fā)布時間:2024-05-17 17:06
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就在近日,又有2個項目取得重大進展:

● 長飛先進:推進第三代半導體產線技改項目,SiC產量6萬片/年;

● 芯派科技:電源電驅系統(tǒng)創(chuàng)新中心項目完成首塊筏板澆筑,或涉及SiC電驅。

長飛先進:

披露SiC技改項目進展

4月15日,蕪湖市生態(tài)環(huán)境局公示了“長飛先進第三代半導體產線技改項目環(huán)境影響報告書”。

根據(jù)報告,長飛先進根據(jù)自身發(fā)展需求,擬開展第三代半導體產線技改項目,將采購產線瓶頸設備,提升現(xiàn)有第三代半導體產線產能至年產6英寸碳化硅功率產品(6萬片晶圓/年),年產4、6英寸氮化鎵射頻產品(1.2萬片晶圓/年),但本次技改項目主要研發(fā)碳化硅芯片,環(huán)評內容不包括氮化鎵射頻產線。

 

據(jù)介紹,現(xiàn)有項目于2017 年6月開始動工建設,2021年4月通過自主驗收,建設主體為長飛先進全資子公司蕪湖太赫茲工程中心有限公司,目前該公司現(xiàn)有項目建設及運營情況如下:

 

除安徽項目外,長飛先進武漢項目也有重大進展——長飛先進武漢基地項目一期預計今年7月封頂,建成后可年產36萬片6英寸SiC MOSFET晶圓及外延,預計2025年建設完成。

 

芯派科技:

電源電驅系統(tǒng)項目取進展

 

4月18日,據(jù)“陜西五建集團”官微消息,芯派智能電源電驅系統(tǒng)創(chuàng)新中心項目(一期)工程已順利完成首塊筏板澆筑,項目建設取得重大進展。

 

據(jù)介紹,該項目位于西安高新區(qū),總建筑面積14.128萬平方米,一期建筑面積7.082萬平方米(本次首塊筏板澆筑面積為1436平方米),主要包括2#測試廠房、 3#、4#、5#量產車間、6#倒班宿舍樓等,項目建成后,將成為全球第一個包含半導體器件、汽車電子系統(tǒng)(電源、電驅、電池等) 整車制造等產業(yè)鏈的研發(fā)測試平臺。

企查查顯示,芯派科技成立于2008年,在功率器件領域擁有十余年研發(fā)、生產經驗,已形成了成熟可靠的功率器件產品。芯派基于T-PAK封裝分立SiC器件并聯(lián)車載電機控制器產品已經完成開發(fā)工作,產品實現(xiàn)了高效、高功率密度的特性。此外,芯派還打造了一個功率器件測試應用中心,已全面滿足包括SiC、GaN器件/模塊等全參數(shù)的測試需求,具備車規(guī)級半導體器件AECQ101認證能力。

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